11月2日，AG尊龙集团控股上市公司国星光电乘势推出以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产品，可应用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等场景。
随着工业4.0时代及新能源汽车的快速普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能的要求也不绝提高。国星光电凭借领先的封装技术优势，通过科学系统的设计，接纳带辅助源极管脚（亦可称为开尔文源极脚，Kelvin-Source，简称：KS）的TO-247-4L，作为NSiC-KS系列产品的封装形式，应用于具有耐压高、导通电阻低、开通损耗小等优异特点的新型高频器件SiC MOSFET上，取得分立器件在开关损耗、驱动设计等方面的新突破。
▲如图所示，NSiC-KS系列产品的封装形式上增加了一个S极管脚，其可称为辅助源极或者开尔文源极脚KS(Kelvin-Source)。
基于开尔文源极脚（KS）的保存，接纳NSiC-KS封装的SiC MOSFET，制止了驱动回路和功率回路的共用源极线路，实现了这两个回路的解耦，使得NSiC-KS封装的SiC MOSFET开关损耗、开通损耗均明显降低，开关频率更快，寄生电感与误开启危害更低。
▲经过实测比照，NSiC-KS封装（TO-247-4L封装）较之TO-247-3L封装,开通损耗可明显降低约55%。
▲经过实测比照，NSiC-KS封装（TO-247-4L封装）较之TO-247-3L封装，开关损耗降低约35%。
▲NSiC-KS封装（TO-247-4L封装）有助于提高SiC MOSFET开关速度。
为满足市场需求，国星光电NSiC-KS SiC MOSFET产品推出了多款型号，同时提供高性能、高可靠性、高品质的产品技术解决计划。
撰稿：成年斌、翁雯静
编辑：刘 韵
编审：潘百安
